深圳市福田区科铭达电子经营部

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供应 IRFZ24NPBF 原装现货热卖
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供应 IRFZ24NPBF 原装现货热卖

型号/规格:

IRFZ24NPBF

品牌/商标:

INFINEON(英飞凌)

封装形式:

TO-220

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

单件包装

漏源电压(Vdss):

55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

17A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On):

10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值):

4V @ 250μA

产品信息

                    深圳市福田区科铭达电子经营部

         

类别
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 370pF @ 25V
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 45W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 70 毫欧 @ 10A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3