深圳市福田区科铭达电子经营部

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供应IRF8736TRPBF 原装现货供应
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供应IRF8736TRPBF 原装现货供应

漏源电压(Vdss):

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

18A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On):

4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值):

2.35V @ 50μA

产品信息

                    深圳市福田区科铭达电子经营部

            一般信息

标准包装   4,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRF8736TRPBFTR 
SP 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.35V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2315pF @ 15V
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.8 毫欧 @ 18A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)